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如何去除石墨表面的多晶硅
如何去除石墨表面的多晶硅
多晶硅的去除方法百度文库
以下是几种常见的多晶硅去除方法： 1酸洗：多晶硅可以通过酸洗的方式去除表面的杂质和缺陷。 常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等。 这种方法可以有效地去除多晶硅 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步 多晶硅碳头料的硅碳分离方 2018年8月7日 表面开始由极少量的碳元素活动得到能量并产生了活性碳，在极大量的储氢材料条件下，有可能形成了非常微量的大气甲烷，而在石墨表层上碳元素大量激活之前 多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究 qikan2019年10月23日 多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反应，生产单质硅，并沉积在硅芯表面，随 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法与流程
多晶硅碳头料的硅碳分离方法百度文库
2010年4月7日 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50200)比例将碳头料 2009年10月19日 多晶硅碳头料的硅碳分离方法 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离,清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比 多晶硅碳头料的硅碳分离方法 百度学术多晶硅与石墨连接处怎样处理清除,包含了石墨卡瓣、含碳量高,只能作为废料处理,这样,沉降的多晶硅越多,去除卡帽10顶部的多晶硅难度越大,在卡帽10的顶部与侧壁之间的尖角处的温 多晶硅与石墨连接处怎样处理清除研究结果表明:西门子法多晶硅碳头料中硅料与石墨之间的界面生成了碳化硅,沉积的硅料镶嵌在石墨孔隙内,导致硅料与石墨的分离困难;浓硫酸与浓硝酸混合酸处理碳头料能使块体石 西门子法多晶硅碳头料利用技术研究 百度学术
一种去除多晶硅碳头料中碳的方法 百度学术
2010年6月9日 本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,主要是将碳头料破碎后分为三类,类物料为不含碳的硅块,其无需清洗处理;第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的 铸造多晶硅中的杂质去除主要是利用合金元素在定向凝固过程中的分凝效应,即不同杂质元素在固相和液相中具有不同的溶解度,使得 另外,寻找适合铸造多晶硅表面 织构如何去除石墨表面的多晶硅2023年6月21日 本发明公开了一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤：步：在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料；第二步：调整喷射清洗设备喷口的喷 一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法 道客巴巴2020年6月30日 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清 一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X
多晶硅片表面缺陷如何拯救？ 国际太阳能光伏网
2017年12月12日 常规多晶硅铸锭炉（如图1所示）的核心结构是由石英坩埚、石墨挡板和坩埚平台组成。在生产过程中石墨加热器以热辐射的形式对石墨挡板进行加热，石墨挡板通过固体热传导的形式给坩埚加热，再由坩 2011年10月19日 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！磨吧，化学方法去掉石墨还是有难度的，不知道你的样品成分，所以不好选。热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ 非金属 小木虫 2010年6月30日 多晶硅的纯度会直接影响到太阳电池的转换效率及电池寿命。多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等，其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质，这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合中心降低少数载流子寿命，影响 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库2024年3月27日 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。这种方法比较适合去除石墨表面的 松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。但要注意，用刷子清洗时力度不要太大，以免损伤石墨表面。2 溶剂清洗 对于沾染有油脂的石墨材料，可以使用溶剂清洗 如何清洗石墨材料？ 知乎
多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究 qikan
2018年8月7日 但是，由于碳元素的激活时间和速率，都远远地晚于甚至不及在石墨表面上被大量结晶硅所包裹的时间和速率，同时石墨表面也开始逐渐被硅所掩盖，导致在石墨表面上从开始时能够产生少量大气甲烷，到后来却又慢慢无法产生大量甲烷的。 12 CH4与碳的沉积多晶硅中氧化夹层的消除25进料炉温控制过低。 还原炉启动后，硅棒电流过小，硅棒表面温度过低，硅芯表面未达到熔融状态，进料后形成温度夹层。26进料时电压波动大。电压在进料时出现明显的升高，说明硅棒表面温度出现了变化，下降过快，反应 多晶硅中氧化夹层的消除 百度文库元素含量的常见手段主要可概括为两大类 。 1 1 检测多晶硅表面元素分布的方法 多晶硅表面杂质元素的含量及分布直接关系到 其性能和特点， 常用的分析方法是 X 荧光光谱法 （ XRF） [12]， 此法可以定性、 定量分析包括 Fe 和 Al 等 多种杂质元素。多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库2017年8月11日 如何去除tc4钛合金表面的石墨曾首先，钛及其合金具有高强度，低密度，耐高温低温，耐腐蚀等优点。储量也很丰富，尤其是在我国的四川攀枝花等地区，这是我国的一大优势。提炼难度大。。等等原因造成了价格比较高。上如何去除tc4钛合金表面的石墨曾百度知道
SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 csejournal
2019年2月10日 应用于碳化硅陶瓷基复合材料(SiC f /SiCCMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层(EBC)，在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀、局部开裂或剥落等问题。为了循环再利用价格昂贵的CMC材料，亟待发展EBC修复技术，而去除原有EBC 2016年8月30日 冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质， 这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下， 对工业硅原料在改性前后的坩埚内 石墨坩埚对多晶硅电学性能的影响多晶硅的表面金属杂质引入探讨对多晶硅表面金属杂质含量 的影 响。 关键词 ： I C P—MS ； 多晶硅； 表 面金 属杂质 中图分类号 ： T B 9 9 文献标识码 ： A 国家标准学科分类代码： 4 3 0 ． 4 0 D O I ： 1 0 ． 1 5 9 8 8 ／ j ． c n k i 首页 文档 多晶硅的表面金属杂质引入探讨 百度文库2023年4月18日 一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法技术领域本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。背景技术topcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层掺杂多晶硅作为钝化层，目前制备多晶硅钝化层的主流方式有lpcvd、pecvd和pvd法。其中，pecvd法 一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 X技术网
清洗石墨舟的方法与流程 X技术网
2021年12月15日 52通过该步骤，在舟片表面的多晶硅膜层之间的二氧化硅膜层被部分去除。后续即可实施步骤二。但是由于步骤二使用的是碱性物质，因此，在用酸洗液清洗之后，可以选择将舟片捞出用去离子水(其温度可以为室温)进行清洗，以去除石墨舟表面残留的酸洗液。2021年3月1日 然而，在转移过程中去除通常用作支撑介质的 PMMA 很麻烦，因为 PMMA 分子会干扰石墨烯的基本性质，而常规的丙酮处理无法从石墨烯表面完全去除 PMMA。热退火处理最早用于清洁PMMA残留物，而等离子体和离子束处理一般具有更高的清洁效率。与其他消除石墨烯上PMMA残留的方法——超洁净石墨烯 XMOL 2021年1月26日 在常温下石墨的性能稳定，不溶于水、有机溶剂、稀碱和稀酸，也不受任何强酸，强碱及有机溶剂的侵蚀。在高温下，鳞片石墨粉可与金属发生反应，生成金属碳化物；在加热下，石墨可轻易被酸氧化；不同高温下和氧反应，可生成一氧化碳或者二氧化碳；在卤素中，只有氟能与单质碳直接反应。清洗石墨粉的方法 百家号摘要： 在目前的光伏产业中,占有主导地位的晶体硅太阳能电池的制造需大量的高纯多晶硅材料西门子法是生产多晶硅的主流工艺,由于工艺中使用石墨夹头连接初始硅芯作为硅还原反应沉积基底,产品中存在沾附了石墨的多晶硅碳头料最大限度地利用多晶硅碳头料,对降低光伏发电成本有重要意义 西门子法多晶硅碳头料利用技术研究 百度学术
怎么样能把金刚石微粉中的石墨除去，或者用化学试剂反应掉
2011年8月11日 提纯金刚石微粉的方法收集如下： 1采用的硝酸铵和其他胺类化合物在180℃～200℃分解破坏纳米金刚石表面吸附的石墨和有机炭黑的结构，降低纳米金刚石表面温度，同时氧化石墨和有机炭黑，达到提纯纳米金刚石。 2利用非金刚石碳在280℃温度条件下与硫酸、硝酸反应,生成二氧化碳气体和易溶于 2009年10月19日 摘要： 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法,包括硅碳分离,清洗和表面处理步骤,硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100:(50200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中,在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡058小时;表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入 多晶硅碳头料的硅碳分离方法 百度学术2018年12月21日 处理15min去除硅表面沾污;然后在去离子水中超声清洗5min用稀释的氢氟酸(2%)去浸泡硅片, 除去表 面较厚的氧化层,用去离子水洗净,最后用氮气吹干对上述去除氧化层的硅片静置15h使硅表面形成一层 薄的自然氧化层(SiOx) 使用低压化学气相沉积(Low 硅太阳能电池的界面优化 Researching2009年10月19日 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，硅碳分离步骤为按分离液与多晶硅碳头料重量比为100∶(50200)比例将碳头料装入网袋后放入分离液中，在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡058小时；表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入 多晶硅碳头料的硅碳分离方法 钛学术文献服务平台
如何清洗金属表面的石墨百度知道
2020年12月17日 如何清洗金属表面的石墨1使用白醋。醋能溶解金属表面的锈层。将生锈的金属泡在白醋里，放置几小时，然后将残留的锈渍擦除。如果金属物品太大，不能泡在白醋里，就在上面浇一层白醋，然后放置一段时间。你也可以用白2011年6月3日 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如，在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的 导电性 也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。 。在化学活性方面，两者的差异极多晶硅 百度百科2020年6月30日 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清理lpcvd石英舟置入高温炉中之前，还包括：一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X技术网2022年6月14日 实验结论：多晶硅表面铜含量的异常升高，来源于CVD内的电极，电极本体为纯紫铜材质，表面的镀银层经过打磨、受热后逐渐脱落，电极头的金属铜熔点为1080度，当石墨座与电极的接触由面接触发展到线接触，电流引起电极头变形后完成是点接触时，电 多晶硅异常料的分析及解决办法
还原炉生产多晶硅常见问题及对策探讨 百度文库
改良西门子法是国内生产太阳能级多晶硅的主要生产工艺，其利用工业硅粉与HCl反应生成SiHCl3 ，SiHCl3经过精馏提纯后，在H2气氛下，在还原炉中的红热载体表面不断沉积得到多晶硅，而反应后生成的尾气，比如H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl等，经过1996年8月12日 摘要： 提出了从块状或颗粒状多晶硅的表面除去金属杂质的方法把金属杂质和多晶硅暴露于气相卤素腐蚀剂中,使气相卤素腐蚀剂与暴露的金属杂质反应形成金属卤化物气相卤素腐蚀剂优选的是一种卤素等离子体把金属卤化物挥发到多晶硅表面附近的气体中,然后除去使用清洁的多晶硅制备用于 多晶硅表面金属杂质的清除 百度学术2000年1月20日 随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜05μm）和亚四分之一微米级（＜025μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究 工程 CAE2021年10月22日 因此，不均匀性的区域优先蚀刻，导致抛光表面。 利用扫描电镜和激光扫描显微镜研究了 HFHNO3H2SO4混合物中蚀刻硅片的表面结构。图7显示了用几种不同浓度的硫酸获得的蚀刻多晶硅表面的扫描电镜图像。用于刻蚀多晶硅表面的HFHNO3H2SO4/H2O混合物
一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X
2020年6月30日 在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。可选地，在所述的lpcvd石英舟的清理方法中，在将待清 2017年12月12日 常规多晶硅铸锭炉（如图1所示）的核心结构是由石英坩埚、石墨挡板和坩埚平台组成。在生产过程中石墨加热器以热辐射的形式对石墨挡板进行加热，石墨挡板通过固体热传导的形式给坩埚加热，再由坩 多晶硅片表面缺陷如何拯救？ 国际太阳能光伏网2011年10月19日 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！磨吧，化学方法去掉石墨还是有难度的，不知道你的样品成分，所以不好选。热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ 非金属 小木虫 2010年6月30日 多晶硅的纯度会直接影响到太阳电池的转换效率及电池寿命。多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等，其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质，这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合中心降低少数载流子寿命，影响 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库
如何清洗石墨材料？ 知乎
2024年3月27日 机械清洗主要是用刷子、压缩空气或者超声波清洗。这种方法比较适合去除石墨表面的 松散物质，比如灰尘或小颗粒杂质。但要注意，用刷子清洗时力度不要太大，以免损伤石墨表面。2 溶剂清洗 对于沾染有油脂的石墨材料，可以使用溶剂清洗 2018年8月7日 但是，由于碳元素的激活时间和速率，都远远地晚于甚至不及在石墨表面上被大量结晶硅所包裹的时间和速率，同时石墨表面也开始逐渐被硅所掩盖，导致在石墨表面上从开始时能够产生少量大气甲烷，到后来却又慢慢无法产生大量甲烷的。 12 CH4与碳的沉积多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究 qikan多晶硅中氧化夹层的消除25进料炉温控制过低。 还原炉启动后，硅棒电流过小，硅棒表面温度过低，硅芯表面未达到熔融状态，进料后形成温度夹层。26进料时电压波动大。电压在进料时出现明显的升高，说明硅棒表面温度出现了变化，下降过快，反应 多晶硅中氧化夹层的消除 百度文库元素含量的常见手段主要可概括为两大类 。 1 1 检测多晶硅表面元素分布的方法 多晶硅表面杂质元素的含量及分布直接关系到 其性能和特点， 常用的分析方法是 X 荧光光谱法 （ XRF） [12]， 此法可以定性、 定量分析包括 Fe 和 Al 等 多种杂质元素。多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
如何去除tc4钛合金表面的石墨曾百度知道
2017年8月11日 如何去除tc4钛合金表面的石墨曾首先，钛及其合金具有高强度，低密度，耐高温低温，耐腐蚀等优点。储量也很丰富，尤其是在我国的四川攀枝花等地区，这是我国的一大优势。提炼难度大。。等等原因造成了价格比较高。上2019年2月10日 应用于碳化硅陶瓷基复合材料(SiC f /SiCCMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层(EBC)，在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀、局部开裂或剥落等问题。为了循环再利用价格昂贵的CMC材料，亟待发展EBC修复技术，而去除原有EBC SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 csejournal